🎁【中信证券新材料】长鑫存储HBM3样品通过测试认证，建议关注产业链内细分材料龙头供应商
⭕据存储世界6月19日消息，长鑫存储（CXMT）正在积极推进由三星电子和SK海力士领衔的HBM3（第三代高带宽存储器）技术。长鑫存储科技已完成HBM3样品的开发，近期已与多家中国AI硬件初创公司完成测试，并与中国领先的AI公司签署了试点合同。长鑫存储计划于2026年初开始向AI加速器、GPU和数据中心客户供货。如果长鑫存储成功供应HBM，它将成为继SK海力士、三星和美国美光之后，全球第四大HBM3供应商。
⭕2025年HBM需求增长94%，HBM3e将占据2025年出货份额超过90%。人工智能的兴起，直接拉动了HBM市场发展，根据证券时报消息，2025年HBM总需求年增长94%，2026年增速将回落至50%以下，但仍远超整体DRAM增长水平。根据集邦咨询，HBM技术每两至三年迭代一代，但未来两年将加速推进，预计HBM3e将占据2025年出货份额超过90%，2026年HBM4将开始渗透市场，预计2026年第二季度量产。
⭕Omdia预计2025年长鑫存储大幅扩产，月均产能2026年将达30万片，将重塑全球DRAM市场竞争格局。长鑫存储是国内DDR4主要供应商，根据Omdia，2024年初，长鑫存储月均DRAM晶圆产量为10万片（以DDR4为主），相当于SK海力士的四分之一。至2025年一季度，该数字已翻倍至20万片，预计2026年将达30万片。预计长鑫存储（CXMT）2025年的DRAM产量将达到273万片，比2024年的162万片增长68%，远远超过之前的预期（20%左右）。按照这一发展态势，预计长鑫存储的DRAM产量将很快接近美光，达到SK海力士的50%。DRAM市场可能会在未来一到两年内从长期的“三巨头”结构演变为四家竞争。
⭕长鑫存储成功供应HBM3叠加其大幅扩产有望进一步带动上游材料端需求增长。同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，我国半导体产业的对内需求重要性凸显，尤其是先进制程、先进封装相关环节以及AI芯片、HBM等前沿但国内仍然相对薄弱的“卡脖子”环节，国产化率有望进一步提高，建议重点关注AI投资主线下算力、存储相关的半导体新材料。
⭕重点推荐：安集科技（CMP抛光液）、鼎龙股份（CMP抛光垫）、兴福电子（湿电子化学品）、联瑞新材（球形硅微粉）、彤程新材（光刻胶）、雅克科技（半导体前驱体）、中船特气（电子特气）、正帆科技（高纯介质供应系统），推荐：华特气体（电子特气）、江化微（湿电子化学品）、晶瑞电材（光刻胶及其配套试剂），建议关注上海新阳、中巨芯、华海诚科。
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同有科技：公司是国内领先的企业级专业存储厂商，主要从事企业级存储系统和军工及工业级固态存储的研究、开发和应用，为特殊行业用户提供高效、稳定、可靠的存储产品及解决方案
万润科技：2023年4月27日互动易回复：控股子公司湖北长江万润半导体技术有限公司主要聚焦存储半导体的闪存封装和闪存测试，以及存储模组和嵌入式存储的研发生产销售。面向的市场应用包括大容量企业级与监控级SSD，工业及车规级SSD、嵌入式SSD、中端消费级SSD。，之前传闻被某公司借壳